Создания элементов интегральной оптики

3 - Y - разветвители,

4 - электроды (расположены на поверхности подложки параллельно волноводам),

5 - световые потоки

Схема интегрально-оптического переключателя на связанных волноводах:

1 - подложка из электрооптического материала,

2 - канальные интегрально-оптические волноводы,

3 - область связи (расстояние между волноводами соизмеримо с длиной волны оптического излучения,

4 - электроды, 5 - световые потоки.

Схема интегрально-оптического переключателя, действие которого основано на эффекте полного внутреннего отражения:

1 - подложка из электрооптического материала,

2 - пересекающиеся канальные интегрально-оптические волноводы,

3 - электроды, 4 - световые потоки.

Схема интегрального акустооптического дефлектора: 1 - подложка, 2 - планарный интегрально-оптический волновод, 3 - встречноштыревая система электродов, 4 - поверхностная акустическая волна, 5 - световые потоки.

Схема интегрально-оптического усилителя-ретранслятора:

1 - входной интегрально-оптический волновод,

2 - выходной волновод, 3 - полосковый электрод,

4 - область с инверсионной заселенностью уровней,

5 - входной световой сигнал, 6 - выходной усиленный световой сигнал

Схема интегрально-оптического фотодиода:

1 - кремниевая подложка,

2 - фоточувствительная область,

3 - пленочный стеклянный волновод,

4 - металлические контакты,

5 - световые потоки.

Рисунок 10. Последовательные стадии изготовления монолитной интегральной схемы.

a - исходная полупроводниковая пластина с проводимостью р-типа, покрытая слоями SiO2, и фоторезиста; б - облучение фоторезиста через фотошаблон; в - полупроводниковая пластина с "окном" в слое SiO2 , образовавшемся в результате облучения и последующего травления; г - диффузия донорных примесей и создание области с проводимостью n-типа. 1 - слой фоторезиста, 2 - слой SiO2 3 - полупроводниковая пластина, 4 - фотошаблон, 5 - засвеченный участок фоторезиста, 6 - донорные атомы.

Рисунок 11. Интегральная схема с диодной изоляцией. 1 - металлическое межсоединение, 2 - слой SiO2, 3 - полупроводниковая пластина с областями р-, n- и n+ - типа проводимости. А, Б, В - соответствующие друг другу точки на рисунках а и б.

a - электричечская схема, б - топология